寧波比亞迪半導體有限公司（以下簡稱”寧波比亞迪半導體“）將通過“保稅研發”模式開展1200V溝槽柵SiC MOSFET晶圓產品的研發設計、技術開發，其研發周期內涉及的多批次進口原材料均可享受保稅政策。
source：比亞迪半導體
寧波比亞迪半導體技術開發部該項目相關負責人表示，在“保稅研發”模式下，進口研發所需的原材料、設備均可以保稅進口，從而在研發環節省下大量的時間成本和資金成本，便于公司快速推進研發進程。研發成品檢測合格后便可開始批量生產。
據悉，寧波比亞迪半導體是比亞迪集團旗下比亞迪半導體股份有限公司的全資子公司，主要從事6英寸晶圓工藝研發和生產的整合性服務，其主要產品為新能源汽車車用半導體功率器件芯片。
寧波比亞迪半導體此前還在寧波建有一條晶圓制造產線，今年2月，該產線主體廠房鋼結構封頂，計劃 2025 年第四季度完成潔凈室建設并啟動設備調試，2026 年 Q2 實現首片 8 英寸碳化硅晶圓試生產。 據悉，2024 年 6 月，寧波市北侖區政府與比亞迪半導體簽署戰略合作協議，計劃投資7.3億元，正式啟動該產線建設。建成后月產2萬片碳化硅晶圓，項目建設期5年。
公開資料顯示，溝槽柵結構通過消除JFET效應可顯著降低導通電阻，尤其在1200V及以上高耐壓場景中能提升系統效率3%-5%，這對800V高壓平臺車型的續航與快充性能至關重要。比亞迪此舉或將強化其高端品牌的電驅系統競爭力，突破國際廠商技術壟斷。