4 月 28 日消息，韓媒 SE Daily 援引業界消息報道稱，三星電子內部已制定了在第 7 代 10nm 級 DRAM 內存工藝 1d nm 后即導入 VCT 垂直通道晶體管技術的路線圖，相關產品有望最早于 2~3 年內面世。
據悉三星電子在 1d nm 后的下代 DRAM 工藝上曾考慮過 1e nm 和 VCT DRAM 兩種選擇，最終選擇了有望“改變游戲規則”的后者，并將 1e nm 先行研究組織合并到 1d nm 團隊中以推進 1d nm 的開發。
報道指出，VCT DRAM 固然可通過對三維空間的有效利用大幅度提升存儲密度，但這一技術也面臨著巨大的開發難度：一方面，其需要跨越傳統內存技術的壁壘；另一方面，該類型內存需要未在現有 DRAM 中應用的先進封裝工藝。
另一方面，報道還稱三星電子在 DRAM 業務中的最大競爭對手 SK 海力士目前的大致規劃是 1d nm -> 0a nm -> VG DRAM（IT之家注：SK 海力士對 3D DRAM 的稱呼）。